一种单晶硅的加料装置及加料设备
授权
摘要

本申请涉及一种单晶硅的加料装置及加料设备,其中单晶硅的加料装置包括壳体、转动部件、抽真空装置和至少两个储料部件。储料部件安装于壳体,转动部件能够相对于储料部件转动,当转动部件转动至不同的位置时,位于转动部件的导向通道能够将输料管与不同的储料部件连通,与输料管连通的储料部件能够向炉室内添加物料,未与输料管连通的储料部件可以进行装填和抽真空的操作,通过这样的设计能够使加料以及装填、抽真空的工作同时进行,以提升加料的效率,进入提升单晶硅的加工效率,更加符合实际的使用需求。

基本信息
专利标题 :
一种单晶硅的加料装置及加料设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112522790A
申请号 :
CN202011384421.0
公开(公告)日 :
2021-03-19
申请日 :
2020-11-30
授权号 :
CN112522790B
授权日 :
2022-04-12
发明人 :
何丽珠白枭龙杨俊欧子杨尚伟泽
申请人 :
晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请人地址 :
江西省上饶市经济开发区晶科大道1号
代理机构 :
北京汇思诚业知识产权代理有限公司
代理人 :
周放
优先权 :
CN202011384421.0
主分类号 :
C30B35/00
IPC分类号 :
C30B35/00  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2022-04-12 :
授权
2022-04-01 :
著录事项变更
IPC(主分类) : C30B 35/00
变更事项 : 申请人
变更前 : 晶科能源有限公司
变更后 : 晶科能源股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 334100 江西省上饶市经济开发区晶科大道1号
变更后 : 334100 江西省上饶市经济开发区晶科大道1号
变更事项 : 申请人
变更前 : 浙江晶科能源有限公司
变更后 : 浙江晶科能源有限公司
2021-04-06 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 35/00
申请日 : 20201130
2021-03-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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