一种制备大尺寸单晶的装置
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摘要
一种制备大尺寸单晶的装置，属于半导体材料制备领域，具体涉及将多块小尺寸单晶通过固态连接方式制备成大尺寸单晶的装置。包括水冷炉、密闭置于水冷炉中的固态连接室、置于固态连接室内的组合夹具，组合夹具固定多个晶块，使用顶柱或应力压块通过组合夹具对晶块施压，水冷炉中设置围绕固态连接室的加热丝，真空管道连通固态连接室，在组合夹具附近设置有热偶。有益效果：1、可以实现将小尺寸的单晶块连接制备成大尺寸的单晶，2、制备过程中，不必考虑孪晶、多晶化等在传统单晶生长过程中需要注意的问题，3、设备简单，4、理论上可以制备任意尺寸的单晶。
基本信息
专利标题 ：
一种制备大尺寸单晶的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020576918.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-17
授权号 ：
CN211999987U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
王书杰孙聂枫史艳磊邵会民李晓岚王阳付莉杰徐森锋姜剑刘惠生孙同年
申请人 ：
中国电子科技南湖研究院;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市南湖区七星街道灵湖南路东200米清风榻
代理机构 ：
石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
聂旭中
优先权 ：
CN202020576918.1
主分类号 ：
C30B33/06
IPC分类号 ：
C30B33/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/06
晶体的接合
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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