一种提高大尺寸单晶硅寿命的单晶防护套
授权
摘要
本实用新型提供一种提高大尺寸单晶硅寿命的单晶防护套，包括金属圆筒、隔离套筒、金属卡箍，所述隔离套筒设置于所述金属圆筒内部；所述金属卡箍与所述金属圆筒之间设置有支撑架；所述支撑架上设置有定位件；所述金属卡箍内部设置有用于隔离单晶棒的若干个隔离件。单晶棒防护套通过采用隔离部件，有效保证在拉制单晶时，尤其是对单晶寿命要求更为严格的直径为210‑280mm的大尺寸单晶，单晶棒不与金属直接接触，避免单晶表皮残留金属离子，从而提高单晶寿命。本实用新型涉及的单晶棒防护套具有结构简单，维修更换方便，加工成本低，生产效率高等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种提高大尺寸单晶硅寿命的单晶防护套
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922268376.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-17
授权号 ：
CN211367803U
授权日 ：
2020-08-28
发明人 ：
霍志强武志军郭谦郭志荣王胜利康学兵赵志远韩凯张文霞高润飞
申请人 ：
内蒙古中环光伏材料有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN201922268376.1
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-08-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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