一种提高单晶硅拉速的冷却装置
授权
摘要
本实用新型提供一种提高单晶硅拉速的冷却装置，包括水冷内导、进水管道、出水管道，水冷内导内表面均匀设置有格栅；进水管道与出水管道相对固定设于水冷内导的上部两侧。采用本实用新型的技术方案，可以充分利用格栅增大散热面积，提高散热速率；同时格栅的设置相当于扰流柱，格栅之间形成的窄缝通道可以提高换热系数，提高冷却效果。
基本信息
专利标题 ：
一种提高单晶硅拉速的冷却装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020262421.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-05
授权号 ：
CN211921735U
授权日 ：
2020-11-13
发明人 ：
高润飞勒立辉张文霞姚长娟武志军
申请人 ：
内蒙古中环光伏材料有限公司;天津环博科技有限责任公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市宝力尔街15号
代理机构 ：
北京开阳星知识产权代理有限公司
代理人 ：
樊晓敏
优先权 ：
CN202020262421.2
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-11-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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