一种通过监控直拉单晶硅转肩直径自动调节拉速的方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种通过监控直拉单晶硅转肩直径自动调节拉速的方法,该方法筛选单晶转肩形状较好的直径数据,作图进行拟合,得到拟合函数并将该函数内嵌至PLC中;根据CCD相机测量直径与函数给出直径差值,通过自动调整拉速,拉速灵敏性通过调整PID参数进行控制,根据实际转肩直径与预定直径符合程度通过调整PID参数来控制拉速,反复几次即可调整出合适PID参数,实现转肩过程自动调节拉速。本发明的方法可以实现转肩过程的拉速自动调控,提高转肩的成功率和过程的可重复性。本发明的方法可以实现自动转肩过程,无需人为操作,避免因人为操作对单晶拉制过程造成的影响,明显降低了人员操作强度,提高了生产效率,增加了产量,降低人工成本。

基本信息
专利标题 :
一种通过监控直拉单晶硅转肩直径自动调节拉速的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114318512A
申请号 :
CN202111626097.3
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
崔维学鲁强李永博李钊盖晶虎崔彬姜舰
申请人 :
山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请人地址 :
山东省德州市经济技术开发区袁桥镇东方红东路6596号(中元科技创新创业园)A座921室
代理机构 :
北京北新智诚知识产权代理有限公司
代理人 :
刘秀青
优先权 :
CN202111626097.3
主分类号 :
C30B15/26
IPC分类号 :
C30B15/26  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
C30B15/22
被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制;晶体截面的控制
C30B15/26
使用电视摄像机的;使用光检测器或X射线检测器的
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/26
申请日 : 20211228
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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