可自动调节放肩工艺参数的单晶炉
授权
摘要
本发明提供一种可自动调节放肩工艺参数的单晶炉，包括：晶体提拉模块、机器视觉直径测量模块和温度控制模块；所述提拉系统包括：转轴、连接在转轴上的绕线轮和一端连接在绕线轮上的软轴；所述软轴的另一端与晶体连接，在拉制单晶的工作过程中，转轴带动绕线轮旋转，使所述软轴与绕线轮相连的一端缠绕在绕线轮上，进而使软轴与晶体相连的一端对晶体进行提拉；所述提拉系统通过驱动电机穿过减速器，进而通过有齿轮齿条机构带动。本发明能使晶体放肩生长过程在整个生长过程中始终保持放肩形状一致，在不同单晶炉内部生长环境下，有效调整放肩生长的工艺参数。
基本信息
专利标题 ：
可自动调节放肩工艺参数的单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021804973.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-25
授权号 ：
CN212713844U
授权日 ：
2021-03-16
发明人 ：
逯占文王学卫邢治国徐永胜王胜军张靖
申请人 ：
连城凯克斯科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市锡山区锡北镇锡港路张泾东段209号
代理机构 ：
大连东方专利代理有限责任公司
代理人 ：
姜玉蓉
优先权 ：
CN202021804973.8
主分类号 ：
C30B15/22
IPC分类号 ：
C30B15/22
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
C30B15/22
被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制；晶体截面的控制
法律状态
2021-03-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
