一种区熔硅单晶的放肩方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种区熔硅单晶的放肩方法,采用平头多晶硅进行放肩,对加热功率和多晶速度的控制方式为:(1)在平头多晶放肩初始,加热功率比锥头多晶放肩初始的加热功率高20%‑30%,然后逐步降低,到硅单晶直径为30‑40mmmm时降至与锥头多晶放肩初始的加热功率相同;后续与锥头多晶放肩参数相同;(2)在平头多晶放肩初始,多晶速度为锥头多晶放肩初始的多晶速度的2‑3倍,然后迅速逐步降低,到硅单晶直径为20‑30mm时降至最低,然后随着硅单晶直径的增大,逐步增大多晶速度,在硅单晶直径为60‑70mm时,多晶速度接近锥头多晶放肩参数,后续与锥头多晶放肩参数相同。采用本发明的方法可以避免一次拉晶失败后多晶的再次磨锥加工,减少多晶损失,提升生产效率,降低生产成本。
基本信息
专利标题 :
一种区熔硅单晶的放肩方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114318498A
申请号 :
CN202111638491.9
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王永涛尚锐刚刘建涛李明飞
申请人 :
有研半导体硅材料股份公司
申请人地址 :
北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
代理机构 :
北京北新智诚知识产权代理有限公司
代理人 :
刘秀青
优先权 :
CN202111638491.9
主分类号 :
C30B13/28
IPC分类号 :
C30B13/28 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B13/00
区域熔融法单晶生长;区域熔融法精炼
C30B13/28
控制或调节
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 13/28
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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