冷却装置及拉晶系统
授权
摘要
本实用新型提供一种冷却装置及拉晶系统，冷却装置应用于拉晶系统，所述拉晶系统包括：炉体，所述炉体内设有一端开口的腔室，所述腔室的开口端用于穿过籽晶；坩埚，所述坩埚设置在所述腔室内，用于承载并熔融的多晶硅，籽晶用于与多晶硅熔液的表面接触；直径传感器，用于检测所述单晶硅棒的直径；所述冷却装置，包括：冷却管，冷却管设置在所述腔室内，冷却管包括用于输出冷却介质的出口端，出口端朝向所述多晶硅熔液的表面设置；控制模块，与所述冷却管相连，用于当所述单晶硅棒生长时，控制所述冷却管沿所述单晶硅棒的轴向向下移动，以使得所述冷却管的出口端与所述多晶硅熔液表面之间的距离维持在预设范围内。
基本信息
专利标题 ：
冷却装置及拉晶系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920485343.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-11
授权号 ：
CN212533193U
授权日 ：
2021-02-12
发明人 ：
全弘湧全铉国
申请人 ：
西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
胡影
优先权 ：
CN201920485343.X
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-02-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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