一种单晶硅生产加工拉晶炉的冷却装置
授权
摘要

本实用新型公开了一种单晶硅生产加工拉晶炉的冷却装置,包括底座、籽晶和冷却装置,本实用新型通过在炉体内部上端设置了冷却装置,依次将进水管和出水管与外部水冷设备连接,然后在将进气管和出气管与外部惰性气体设备连接,然后在外部水冷设备与外部惰性气体设备的运行作用下,使水冷管实现冷却箱内部的循环活动,而在惰性气体循环下,进一步加大冷却箱内部冷却效果,然后单晶棒移入到冷却箱中部时,会在冷却箱内部冷却效果下,实现对单晶棒的冷却,避免单晶棒生长缺陷,从而达到了提高对单晶硅生产速率,避免生产缺陷的优点。

基本信息
专利标题 :
一种单晶硅生产加工拉晶炉的冷却装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021909445.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-03
授权号 :
CN212983094U
授权日 :
2021-04-16
发明人 :
凌继贝张忠华张俊吴雄
申请人 :
内蒙古豪安能源科技有限公司
申请人地址 :
内蒙古自治区包头市土默特右旗新型工业园区光伏光电产业园1号
代理机构 :
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
张静
优先权 :
CN202021909445.9
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2021-04-16 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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