大直径高效N型单晶硅的磁控拉晶装置
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摘要

本实用新型公开了一种结构简单,便于控制磁场强度,并且能避免电阻加热装置对磁场影响的大直径高效N型单晶硅的磁控拉晶装置。该大直径高效N型单晶硅的磁控拉晶装置,包括炉体;所述炉体上方设置有上炉腔;所述炉体的炉膛内设置有坩埚、石墨托;石墨托下方设置有底部旋转支撑杆;所述炉体的炉膛两侧均设置有磁场发生装置;所述磁场发生装置上设置有U型导磁体;所述U型导磁体一端与磁场发生装置连接,另一端延伸到坩埚与加热装置之间;所述U型导磁体的外表面上设置有隔热层;所述U型导磁体延伸到坩埚与加热装置之间的部分设置有均匀分布的导磁块。采用该大直径高效N型单晶硅的磁控拉晶装置,能够明显地改善单晶的均匀性,降低缺陷密度。

基本信息
专利标题 :
大直径高效N型单晶硅的磁控拉晶装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921105801.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-07-15
授权号 :
CN210341126U
授权日 :
2020-04-17
发明人 :
陈嘉豪徐文州耿荣军喻先丽
申请人 :
乐山新天源太阳能科技有限公司
申请人地址 :
四川省乐山市乐山高新区建业大道888号
代理机构 :
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
李玉兴
优先权 :
CN201921105801.9
主分类号 :
C30B29/06
IPC分类号 :
C30B29/06  C30B30/04  C30B15/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
法律状态
2020-04-17 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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