单晶硅拉晶组合装置
授权
摘要
本实用新型提出单晶硅拉晶组合装置，包括提拉机构、旋转机构、钢丝绳、重锤，提拉机构包括卷线轮、导向轮、阻尼套、安装架、卷线电机，安装架活动设置于外部固定装置上，卷线轮、导向轮设置于安装架内部，旋转机构包括旋转电机、皮带轮、皮带，通过旋转电机带动提升机构整体在水平面内旋转，重锤包括本体、连接件，连接件包括设置在上端的圆柱体和下端的球体，卡孔包括上部分的圆柱形孔和下部分的长圆孔，本实用新型加装导向轮进行微调，改进重锤连接件，精细化重锤结构，增加配重重量，使钢丝绳与阻尼套同轴转动，阻尼套和配重重量的增加，使得单晶炉在拉晶时的晶转可以达到稳定的20r/min，并且不会产生晶体划弧现象。
基本信息
专利标题 ：
单晶硅拉晶组合装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020653771.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-26
授权号 ：
CN212128336U
授权日 ：
2020-12-11
发明人 ：
黄鑫
申请人 ：
宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请人地址 ：
宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路28号
代理机构 ：
宁夏合天律师事务所
代理人 ：
孙彦虎
优先权 ：
CN202020653771.1
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B15/30 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-12-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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