稳定300mm单晶硅片掺砷元素拉晶温度的单晶炉
授权
摘要
一种稳定300mm单晶硅片掺砷元素拉晶温度的单晶炉,包括主炉体、测温组件,所述主炉体的侧壁由内至外依次包括主保温层、中保温层和炉壁外层,在中保温层和炉壁外层上设有测温孔,所述测温孔沿主炉体的径向延伸,所述测温孔的一端贯通炉壁外层,所述测温孔的另一端不贯通主保温层,所述测温组件包括圆形测温玻璃、阻隔件,所述圆形测温玻璃盖合在测温孔位于炉壁外层一端的端面,所述阻隔件设有贯通的连接孔,所述阻隔件夹装在中保温层和炉壁外层之间的中空层中,所述阻隔件的连接孔与测温孔同轴,在中空层中安装阻隔件,阻隔件的设置能阻止中空层中的气体进入测温孔,避免测温玻璃被熏黑,解决了300mm单晶硅片掺砷拉晶工艺不稳的问题。
基本信息
专利标题 :
稳定300mm单晶硅片掺砷元素拉晶温度的单晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202123383164.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-12-29
授权号 :
CN216639712U
授权日 :
2022-05-31
发明人 :
张兴茂徐慶晧王忠保伊冉闫龙李小红
申请人 :
宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请人地址 :
宁夏回族自治区银川市经济技术开发区光明西路28号
代理机构 :
宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
孙彦虎
优先权 :
CN202123383164.1
主分类号 :
C30B29/06
IPC分类号 :
C30B29/06 C30B15/20 C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2022-05-31 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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