一种高拉速9吋单晶硅的新型导流筒
授权
摘要
本实用新型公开了一种高拉速9吋单晶硅的新型导流筒,包括导流筒外导和导流筒内胆,导流筒外导和导流筒内胆之间为保温材质,导流筒内胆在轴向上为多层的环形阶梯结构,环形阶梯结构的内径从下至上逐渐增大,所述导流筒内胆内设有与导流筒内胆的环形阶梯结构相同的水冷热屏,水冷热屏的上部高于导流筒内胆。本实用新型大大提升单晶硅拉制时的拉速,从而减少拉制整根单晶硅棒的耗时。
基本信息
专利标题 :
一种高拉速9吋单晶硅的新型导流筒
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020431176.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-03-30
授权号 :
CN212426237U
授权日 :
2021-01-29
发明人 :
段俊飞王艺澄
申请人 :
包头美科硅能源有限公司
申请人地址 :
内蒙古自治区包头市昆都仑区金属深加工园区拓业路1号
代理机构 :
南京经纬专利商标代理有限公司
代理人 :
马严龙
优先权 :
CN202020431176.3
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2021-01-29 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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