一种高拉速通用型水冷屏
授权
摘要
本实用新型公开了一种高拉速通用型水冷屏，包括中部上下贯穿的筒体、环形腔体、进水管管道、连通管管道以及出水管管道；所述筒体为锥形，上端开口大于下端开口，筒壁内设有中空的腔体，腔体内部设有冷却水水道；所述环形腔体位于筒体的下端开口处，其内部具有环形的中空腔道；所述进水管管道与筒体顶部内侧连接，并与筒体内部的腔体连通；所述连通管管道的一端与筒体顶部内侧连接，并与筒体内部的腔体连通，另一端向下弯折后与位于筒体底部的环形腔体内侧连接，并与环形腔体内的中空腔道连通；所述出水管管道的一端与环形腔体内侧连接，另一端向上并从筒体上端开口处伸出。
基本信息
专利标题 ：
一种高拉速通用型水冷屏
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021911303.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-04
授权号 ：
CN212865062U
授权日 ：
2021-04-02
发明人 ：
郑伟扬王思锋周宇李莎
申请人 ：
宁夏协鑫晶体科技发展有限公司
申请人地址 ：
宁夏回族自治区中卫市中卫工业园区
代理机构 ：
江苏圣典律师事务所
代理人 ：
徐芝强
优先权 ：
CN202021911303.6
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-04-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
