一种用于单晶生产的高拉速水冷屏
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于单晶生产的高拉速水冷屏，包括中部上下贯穿的筒体、位于筒体筒壁中的冷却水水道、以及连接于筒体顶部一侧的进水管管道和连接于筒体顶部另一侧的出水管管道；所述进水管管道、筒体筒壁中的冷却水水道、以及出水管管道依次连通；所述筒体的筒壁包括外壁和内壁，冷却水水道设置于外壁和内壁之间；所述内壁为具有凹凸褶皱的折面。通过筒体内壁折面设计可有效增大散热面积，折面结构增大了水冷屏腔体，进一步增加该水冷屏对于晶棒的冷却效果，实现等径拉速的提高。内壁折面高度及角度的特殊设计可防止水冷屏内壁遮挡CCD及观察窗测径，同时折面向内延伸更加靠近晶棒增加冷却效果。
基本信息
专利标题 ：
一种用于单晶生产的高拉速水冷屏
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021450379.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-21
授权号 ：
CN212713835U
授权日 ：
2021-03-16
发明人 ：
郑伟扬王思锋
申请人 ：
宁夏协鑫晶体科技发展有限公司
申请人地址 ：
宁夏回族自治区中卫市中卫工业园区
代理机构 ：
江苏圣典律师事务所
代理人 ：
徐芝强
优先权 ：
CN202021450379.3
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-03-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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