一种适用于大尺寸单晶提拉速及散热的装置
授权
摘要
本实用新型提供一种适用于大尺寸单晶提拉速及散热的装置，包括制冷装置主体、进水管道和出水管道，进水管道与出水管道分别与制冷装置主体连接，便于冷却介质在制冷装置主体内循环流通，其中，制冷装置主体设有多个视线孔，多个视线孔沿着单晶炉盖至坩埚方向依次设置；以及，单晶炉盖设有观察孔，多个视线孔设于制冷装置主体与观察孔相对侧，便于观察单晶的生长。本实用新型的有益效果是具有多个视线孔，便于观察单晶的生长，在保证晶体结晶区温度维持在硅结晶点温度的前提下，加快晶体表面热量散失，增加晶体轴向温度梯度，促进单晶拉速提升。
基本信息
专利标题 ：
一种适用于大尺寸单晶提拉速及散热的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921527183.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-12
授权号 ：
CN210636089U
授权日 ：
2020-05-29
发明人 ：
张文霞高润飞郭志荣张石晶韩凯武志军霍志强郭谦王林谷守伟徐强
申请人 ：
内蒙古中环光伏材料有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN201921527183.7
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-05-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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