单晶提拉装置的线材防振机构
实质审查的生效
摘要
提供一种单晶提拉装置的线材防振机构(2)，设置于单晶提拉装置，前述单晶提拉装置具备腔(51)和提拉部，前述腔在内部容纳用于存积多晶融液的坩埚，前述提拉部具有从多晶融液经由籽晶提拉单晶的线材，具备旋转驱动源(3)、进退机构(6)、可动轴(5)，前述进退机构(6)具有旋转部件(26)和移动部件(27)，前述旋转部件(26)由于旋转驱动源(3)的旋转而旋转，前述移动部件(27)由于旋转部件(26)的旋转而沿与线材的轴线交叉的进退方向进退移动，前述可动轴(5)与移动部件(27)连接，沿进退方向(D)延伸，在进退方向(D)的末端设置有与线材接触的线材接触机构(17)。
基本信息
专利标题 ：
单晶提拉装置的线材防振机构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114381793A
申请号 ：
CN202111170642.2
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-10-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
尼崎晋
申请人 ：
胜高股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张泽洲
优先权 ：
CN202111170642.2
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06 F16H19/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/00
申请日 : 20211008
申请日 : 20211008
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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