用于提拉半导体材料的单晶的设备
授权
摘要
本实用新型提供用于从包含在坩埚(8)中的熔体(7)提拉半导体材料的单晶(1)的设备，该设备具有用于旋转提拉轴(14)的装置(20)且具有用于旋转坩埚轴(13)的装置(21)，其特征在于，在驱动器(22)和提拉轴(14)之间的成双蜗轮蜗杆传动装置以及在另一驱动器(31)和坩埚轴(13)之间的另一成双蜗轮蜗杆传动装置。
基本信息
专利标题 ：
用于提拉半导体材料的单晶的设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022221520.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
CN213772273U
授权日 ：
2021-07-23
发明人 ：
H·贝格曼W·约德克R·施密德
申请人 ：
硅电子股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
刘佳斐
优先权 ：
CN202022221520.9
主分类号 ：
C30B15/30
IPC分类号 ：
C30B15/30 C30B15/10
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/30
转动或移动熔体或晶体的机构
法律状态
2021-07-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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