一种单晶炉提拉头校准装置

专利申请权、专利权的转移

摘要

本实用新型提供一种单晶炉提拉头校准装置，包括：与重锤连接的固定部；校准部；以及用于连接所述固定部和所述校准部的连接部；所述固定部、所述连接部和所述校准部同轴心设置；所述校准部为锥形体结构且其小径端靠近所述连接部一侧设置；所述校准部大径端为平整平面。本实用新型设计的校准装置，可精准地对提拉头重心水平位置进行校准，保证其对中不发生偏移，校准效果好且校准效率高，无需过多其它装置配合即可完成提拉头的校准工作，结构简单且易于加工。

基本信息

专利标题：

一种单晶炉提拉头校准装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021696644.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-08-14

授权号：

CN212865065U

授权日：

2021-04-02

发明人：

李仕权周宏邦娄中士王淼张强侯明超张庆虎郝朝旭孔凯斌王立刚郝小龙

申请人：

内蒙古中环领先半导体材料有限公司

申请人地址：

内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号

代理机构：

天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

栾志超

优先权：

CN202021696644.6

主分类号：

C30B15/20

IPC分类号：

C30B15/20 C30B15/30 G01M1/12

相关图片

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B15/00

熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法

C30B15/20

控制或调节

法律状态

2022-05-03 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : C30B 15/20
登记生效日 : 20220421
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 内蒙古中环领先半导体材料有限公司
变更后权利人 : 内蒙古中环领先半导体材料有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 010070 内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
变更后权利人 : 010070 内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
变更事项 : 专利权人
变更后权利人 : 中环领先半导体材料有限公司

2021-04-02 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

CN212865065U.PDF

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