一种大尺寸二维碘化铋单晶的制备方法
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摘要

本发明公开了一种大尺寸二维碘化铋单晶的制备方法,包括如下步骤:S1,将碘化铋粉末放置到设有一端开口的刚玉舟内,再将氟金云母基板倒扣在刚;S3,往管式炉中通入氩气与氢气,对气化的碘化铋进行稀释并进行还原反应;S4,在反应结束后,将气相陷阱移动至管式炉末端的加热带处进行降温,在降温过程中,使刚玉舟内的气体在氟金云母基板上沉积形成附着;S5,待气相陷阱完全冷却后,获得二维碘化铋单晶。本发明的本发明公开一种大尺寸二维碘化铋单晶的制备方法,解决了现有方法制得的碘化铋单晶尺寸较小且厚度不可控的问题,整体制备工艺简单、操作方便、可重复性好,通过控制降温速率,得到不同厚度和尺寸的二维单晶碘化铋。

基本信息
专利标题 :
一种大尺寸二维碘化铋单晶的制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113652739A
申请号 :
CN202110969002.1
公开(公告)日 :
2021-11-16
申请日 :
2021-08-23
授权号 :
CN113652739B
授权日 :
2022-04-19
发明人 :
张翅腾飞涂溶罗国强郑颖秋张联盟
申请人 :
化学与精细化工广东省实验室潮州分中心
申请人地址 :
广东省潮州市潮州大道南段科技大楼二楼
代理机构 :
汕头市南粤专利商标事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
杨旭生
优先权 :
CN202110969002.1
主分类号 :
C30B23/00
IPC分类号 :
C30B23/00  C30B29/12  C30B29/64  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2022-04-19 :
授权
2021-12-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 23/00
申请日 : 20210823
2021-11-16 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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