一种大尺寸化合物半导体单晶制备方法，属于单晶制备领域，具体涉及晶体制备方法，特别涉及大尺寸尤其是超长长度化合物半导体单晶的制备方法，使用大尺寸单晶生长系统实现；大尺寸单晶生长系统包括晶体生长空间的控制装置和炉体内的原料注入装置。在原料合成和晶体生长过程中注入原料，并根据单晶的长度调节生长空间。由于存在多次缩颈处理，可以降低晶体本身的热应力，防止长得太长而断裂，同时大幅降低多次生长过程中缺陷的产生及原有缺陷的延伸；这种结构可以不受高压制备设备尺寸的限制。原料承载注入系统可以实现对承载注入系统的冷却，实现连续合成，或者间歇合成。