一种BiSe及其掺杂化合物单晶材料及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及了一种BiSe及其掺杂化合物单晶材料及其制备方法，该种BiSe及其掺杂化合物单晶材料的化学组分为Bi1‑xMxSe，其中x为0‑0.3。其制备方法包括以下步骤：将原料充分混合均匀后封装入石英管内，并放置在马弗炉中加热，使原料充分反应；之后采用布里奇曼法，利用温度梯度使熔融物缓慢结晶，最终得到BiSe及其掺杂化合物单晶材料。本发明制备的BiSe及其掺杂化合物单晶材料尺寸大，原材料环境友好，成本低廉，且合成工艺简单，成功率高，可用于热电器件等领域。
基本信息
专利标题 ：
一种BiSe及其掺杂化合物单晶材料及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114481326A
申请号 ：
CN202210105398.X
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
简基康何梓民
申请人 ：
广东工业大学
申请人地址 ：
广东省广州市番禺区大学城外环西路100号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210105398.X
主分类号 ：
C30B29/46
IPC分类号 ：
C30B29/46 C30B11/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/46
含硫、硒或碲的化合物
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/46
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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