无钴二元单晶材料及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及锂电材料技术领域，公开了无钴二元单晶材料及其制备方法。制备方法包括：将成分为无钴二元前驱体、氢氧化锂以及复合掺杂元素的混料依次进行包覆前烧结、细化处理、包覆金属氧化物以及包覆后烧结；无钴二元前驱体的化学式为NixMn1‑x(OH)2，0.6≤x≤1.0，混料中锂元素与无钴二元前驱体中过渡金属元素的摩尔比为1.03～1.05:1，复合掺杂元素包括质量比为4:2.5～3.5:5.5～6.5的锆、铝和钨，锆占混料总质量的1～3‰。无钴二元单晶材料，采用上述方法制得。该制备方法能制得性能堪比同系列含钴三元正极材料的无钴二元单晶材料，该无钴材料成本低。
基本信息
专利标题 ：
无钴二元单晶材料及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551862A
申请号 ：
CN202210186405.3
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周磊范未峰陈德贤张彬王政强
申请人 ：
宜宾锂宝新材料有限公司;宜宾天原锂电产业技术有限公司
申请人地址 ：
四川省宜宾市翠屏区兴港路东段2号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
宋南
优先权 ：
CN202210186405.3
主分类号 ：
H01M4/505
IPC分类号 ：
H01M4/505 H01M4/525
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01M 4/505
申请日 : 20220228
申请日 : 20220228
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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