一种制备单晶二维过渡金属硫族化合物的方法
授权
摘要
本发明提供了一种制备单晶二维过渡金属硫族化合物的方法，所述方法包括以特定晶向的a‑plane三氧化铝作为衬底，高温下生长大面积单晶二维过渡金属硫族化合物，其中，所述特定晶向为<11‑20>/<0001>。所述二维过渡金属硫族化合物包含二硒化钼、二硫化钼、二硒化钨等所有过渡金属硫族化合物。所述方法解决了化学气相沉积法制备二维过渡金属硫族化合物单晶尺寸小的问题。通过简单、高效的方法，实现了单晶二维过渡金属硫族化合物的制备。
基本信息
专利标题 ：
一种制备单晶二维过渡金属硫族化合物的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112760714A
申请号 ：
CN201911065167.5
公开（公告）日 ：
2021-05-07
申请日 ：
2019-11-04
授权号 ：
CN112760714B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
刘开辉王金焕徐小志
申请人 ：
北京大学
申请人地址 ：
北京市海淀区颐和园路5号
代理机构 ：
北京德崇智捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王欣
优先权 ：
CN201911065167.5
主分类号 ：
C30B29/46
IPC分类号 ：
C30B29/46 C30B25/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/46
含硫、硒或碲的化合物
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2021-05-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/46
申请日 : 20191104
申请日 : 20191104
2021-05-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
