一种催化剂双辅助的二维过渡金属硫族化合物薄膜的制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种催化剂双辅助的二维过渡金属硫族化合物薄膜(TMDs)的制备方法。该方法在使用化学气相沉积法制备TMDs薄膜过程中，采用一端开口一端闭合的石英舟盛放金属源，将衬底的生长面朝下扣在石英舟闭合的一端，形成一种半封闭结构，载气携带源在衬底下方形成涡旋，使衬底生长面的源分压更大且更均匀，避免了薄膜不连续以及晶体质量不均匀的问题；同时，采用卤化物催化剂双辅助的方法，在金属源中以及衬底生长面同时添加催化剂，进一步提高了源分压，缩短生长时间；并通过改变旋涂于衬底表面的催化剂溶液的浓度，实现不同层数TMDs薄膜的可控生长。本发明制备TMDs薄膜的方法具有薄膜厚度可控、晶形完整、重复性高的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种催化剂双辅助的二维过渡金属硫族化合物薄膜的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114574955A
申请号 ：
CN202210212260.X
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
唐宁樊腾刘星辰张仕雄王奋陶孙真昊姜稼阳李国平
申请人 ：
北京大学
申请人地址 ：
北京市海淀区颐和园路5号
代理机构 ：
北京万象新悦知识产权代理有限公司
代理人 ：
李稚婷
优先权 ：
CN202210212260.X
主分类号 ：
C30B25/00
IPC分类号 ：
C30B25/00 C30B29/46 C30B29/64 C30B29/68
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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