一种硅化钼过渡金属化合物薄膜材料的制备方法
授权
摘要
本发明涉及一种硅化钼过渡金属化合物薄膜材料的制备方法，其特征在于：在真空条件下，以高能电子束加热高纯度的金属钼靶材，使金属钼靶材气化，蒸发的钼蒸汽沉积在高纯度的硅衬底表面，最后在空气中进行350～900℃的退火处理，可以形成硅化钼薄膜；该硅化钼过渡金属化合物薄膜材料的制备方法，是直接在硅衬底表面蒸镀上一层金属钼，方法容易，过程便捷，薄膜沉积厚度可控，成膜质量好，元素分布均匀，经退火处理得到了硅化钼过渡金属氧化物薄膜；相比于现有技术所采用的磁控溅射方法制备的薄膜，具有纯度高，质量好，退火温度低，重复性好等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种硅化钼过渡金属化合物薄膜材料的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110373636A
申请号 ：
CN201910821464.1
公开（公告）日 ：
2019-10-25
申请日 ：
2019-09-02
授权号 ：
CN110373636B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
任卫朱楠楠张永超杨朝宁杨炎翰李璐姚国光商世广
申请人 ：
西安邮电大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区长安南路563号
代理机构 ：
重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
竺栋
优先权 ：
CN201910821464.1
主分类号 ：
C23C14/30
IPC分类号 ：
C23C14/30 C23C14/16 C23C14/58
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/28
波能法或粒子辐射法
C23C14/30
电子轰击法
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2019-11-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/30
申请日 : 20190902
申请日 : 20190902
2019-10-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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