本发明属于二维材料转移技术领域，具体涉及一种过渡金属硫族化合物二维材料的转移方法，采用PVD或CVD方法，在复合有添加剂的生长基底表面沉积过渡金属硫族化合物二维材料，获得生长基底‑TMDs；所述的添加剂为碱金属的化合物；将生长基底‑TMDs在剥离管中进行剥离并转移；所述的剥离管包括剥离端和进水端，所述的剥离端设置有生长基底‑TMDs，且TMDs面朝上；所述的生长基底‑TMDs的上部还设置有接受基底；剥离过程中，由进水端不断向剥离管中注入水，借助于提升的水液面浸没生长基底‑TMDs，使TMDs剥离并伴随液面提升并转移至接受基底表面。本发明采用添加剂辅助法合成二维材料，进一步配合所述的水管剥离手段联合，可以在无需支撑膜的情况下实现二维材料的成功转移，并改善转移效果。