层状氧硫族化合物复合CdS光电材料及制备方法和应用
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种复合光电材料，具体涉及一种层状氧硫族化合物复合CdS光电材料及制备方法和应用，包括如下步骤：S1：清洗导电衬底；S2：在步骤S1得到的清洗后的导电衬底上制备CdS薄膜；S3：配置氧硫族化合物浆料，并旋涂于步骤S2得到的CdS薄膜上并真空退火；S4：在步骤S3得到的复合薄膜上通过丝网印刷银浆作为背电极，得到所述的层状氧硫族化合物复合CdS光电材料，其结构从下到上依次为导电衬底、CdS薄膜、氧硫族化合物薄膜和Ag电极。与现有技术相比，本发明将层状氧硫族化合物复合CdS制备具有异质结构的薄膜光电材料，由于在异质界面处存在内建电势，可以有效抑制载流子复合，实现光电性能的大幅提升。
基本信息
专利标题 ：
层状氧硫族化合物复合CdS光电材料及制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420785A
申请号 ：
CN202111583307.5
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张刚华杜维房永征侯京山
申请人 ：
上海应用技术大学
申请人地址 ：
上海市奉贤区海泉路100号
代理机构 ：
上海科盛知识产权代理有限公司
代理人 ：
林君如
优先权 ：
CN202111583307.5
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20211222
申请日 : 20211222
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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