缺陷基化合物锚定单原子复合材料及其制备方法与应用
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摘要
本发明公开了一种缺陷基化合物锚定单原子复合材料及其制备方法与应用。所述缺陷基化合物锚定单原子复合材料包括缺陷基化合物、负载于所述缺陷基化合物上的单原子以及硫掺杂的纳米碳；所述硫掺杂的纳米碳具有多级孔结构，所述缺陷基化合物分布于所述硫掺杂的纳米碳的多级孔结构中；负载所述单原子的缺陷基化合物中单原子的含量为0.1～20at％；所述缺陷基化合物包括金属氧化物、金属硫化物、金属氮化物中的任意一种或两种以上的组合。本发明采用简单的方法制得了负载金属单原子的缺陷基复合材料，该方法条件温和，容易实现产业化；且复合材料中金属单原子和缺陷结构可提供丰富的催化活性中心，在可充电锂金属基电池中有很好的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
缺陷基化合物锚定单原子复合材料及其制备方法与应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112820864A
申请号 ：
CN202011630829.1
公开（公告）日 ：
2021-05-18
申请日 ：
2020-12-31
授权号 ：
CN112820864B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
王健蔺洪振程双
申请人 ：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王锋
优先权 ：
CN202011630829.1
主分类号 ：
H01M4/36
IPC分类号 ：
H01M4/36 H01M4/38 H01M4/48 H01M4/58 H01M4/583 H01M4/62 H01M10/052 H01M10/42 B82Y30/00 B82Y40/00
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2021-06-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01M 4/36
申请日 : 20201231
申请日 : 20201231
2021-05-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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