增强2D过渡金属硫族化合物光致发光的方法及其应用
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种增强2D过渡金属硫族化合物光致发光的方法及其应用，方法包括以下步骤：准备第一衬底和第二衬底，在第一衬底上生长单分子层二硫化钨，得到二硫化钨/SiO2/Si衬底；在第二衬底上蒸镀厚度为280～300nm的金层，再在金层上蒸镀2～25nm厚的SiO2层，得到SiO2/Au/SiO2/Si衬底；在二硫化钨/SiO2/Si衬底的单分子层二硫化钨上滴加聚甲基丙烯酸甲酯，匀胶，加热，再浸入KOH水溶液，将负载有PMMA的单分子层二硫化钨放入水中，采用SiO2/Au/SiO2/Si衬底将负载有PMMA的单分子层二硫化钨从水中托出，干燥，去除PMMA。本发明的方法增强了转移至SiO2/Au/SiO2/Si衬底上的单分子层二硫化钨的光致发光。
基本信息
专利标题 ：
增强2D过渡金属硫族化合物光致发光的方法及其应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318289A
申请号 ：
CN202011074091.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-10-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡章贵王晨鑫邱海龙吴以成
申请人 ：
天津理工大学
申请人地址 ：
天津市西青区宾水西道391号
代理机构 ：
天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李蕊
优先权 ：
CN202011074091.5
主分类号 ：
C23C16/30
IPC分类号 ：
C23C16/30 C23C16/56 C23C14/10 C23C14/24 C23C28/00 C09K11/02 C09K11/68
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/30
申请日 : 20201009
申请日 : 20201009
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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