本发明涉及一种硫族元素化合物晶片辅助局域生长过渡金属硫族化合物的方法，所述制备方法包括如下步骤：将预备好的衬底均匀涂一层过度金属源后反扣于硫族元素化合物晶片上，二者构建出局域空间置于管式炉中。在高温情况下，由硫族元素晶片释放的硫族元素与衬底上的过渡金属源直接发生反应在衬底上得到相应的过渡金属化合物。相比常规CVD方法，该方法完美解决了在生长过程中前驱体源扩散供应不足不均匀的问题。具有工艺简单，生长速度快，普适性强等特点，可用于制备不同种类的过渡金属硫族化合物(TMDC)材料，为二维材料的制备提供了一种新思路。