本发明公开了一种二维过渡金属硫族化合物量子点的精确仿真方法，该方法采用紧束缚哈密顿量，对多种二维过渡金属硫族化合物量子点进行建模仿真，给出低温下自洽的量子点分立能级结构，指导自旋量子比特、能谷量子比特以及自旋‑能谷量子比特的设计优化。本发明能够为多种二维过渡金属硫族化合物的静电学量子点问题提供精确的仿真方法，实现低温下基于面内多栅极量子阱和异质结量子阱的二维材料量子点仿真设计优化与实验指导，量子点形态、尺寸、缺陷原子和磁场调控效应可以得到精确、高效的仿真结果，为量子比特的设计提供了高置信度仿真平台，具有全面、精确和高效的优势，在二维半导体材料量子计算领域具有重要的应用价值。