具有超薄金属硫族元素阻挡材料的集成电路互连结构
公开
摘要
集成电路互连结构包括具有阻挡材料的互连金属化特征，该阻挡材料包括金属和硫族元素。硫族元素的引入可以在给定的阻挡材料层厚度下随着阻挡层厚度的增大而改善扩散阻挡特性。可以以最小厚度沉积阻挡材料，诸如TaN，并且在一种或多种填充材料沉积在阻挡材料之上之前或之后以硫族元素对阻挡材料进行掺杂。在热处理期间，移动的硫族元素杂质可在阻挡材料内的区域内聚集至足够高的浓度以使阻挡材料的至少一部分转换为金属硫族化物层。金属硫族化物层可以比阻挡层的其余部分具有更大的结晶度。
基本信息
专利标题 ：
具有超薄金属硫族元素阻挡材料的集成电路互连结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446932A
申请号 ：
CN202111150122.5
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C·内勒C·杰泽斯基
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
舒雄文
优先权 ：
CN202111150122.5
主分类号 ：
H01L23/532
IPC分类号 ：
H01L23/532 H01L21/768 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/532
按材料特点进行区分的
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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