一种碳化硅单晶衬底、制备方法及半导体器件
公开
摘要
本发明公开了一种碳化硅单晶衬底，包括第一表面和第二表面，所述第一表面包括钉扎区和制件区，所述钉扎区为人工设置的势阱，以将所述钉扎区周围区域的位错集中于所述钉扎区，所述第一表面上设置多个所述钉扎区；所述制件区用于制作半导体器件，所述制件区周围设置有所述钉扎区，以使得所述制件区中心区域的位错密度小于边缘区域。本发明提供的碳化硅单晶衬底，在制件区周围设置钉扎区，以将制件区上的位错集中在制件区边缘，从而使制件区中心区域的位错密度降低，并使用制件区中心区域来制作半导体器件的有效区域，即半导体器件上施加电压的区域，可以显著降低有效区域的位错密度，降低有效区域的失效概率，提高半导体器件的良品率。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅单晶衬底、制备方法及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597117A
申请号 ：
CN202210138486.X
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-02-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
娄艳芳刘春俊王光明姚静雍庆彭同华杨建
申请人 ：
北京天科合达半导体股份有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司;江苏天科合达半导体有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地天荣大街9号2幢301室
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
李海建
优先权 ：
CN202210138486.X
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/04 C30B23/02 C30B29/36 C30B33/02 B24B37/00 B28D5/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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