一种SiC单晶衬底及其制备方法与应用
实质审查的生效
摘要
本发明属于新材料技术及晶体生长技术领域，涉及一种SiC单晶衬底及其制备方法与应用。其制备方法为：在生长坩埚内设置SiC源材料和SiC籽晶，SiC籽晶位于SiC源材料的上方，再将生长坩埚置于真空条件下，通入载气，然后加热并依次进行籽晶表面成核处理和单晶生长处理，降温；其中，SiC源材料的C/Si为(0.5～0.8):1或(1.2～1.5):1；或者，籽晶表面成核处理的载气气氛中，氮气的体积不低于载气体积的50％；或者，SiC源材料内添加p型掺杂剂。本发明制备的SiC单晶衬底部件具有高电导率、高孔隙率，而且操作简单、易于工业化生产。
基本信息
专利标题 ：
一种SiC单晶衬底及其制备方法与应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114481307A
申请号 ：
CN202210119968.0
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谢雪健徐现刚王守志陈秀芳彭燕杨祥龙胡小波
申请人 ：
山东大学
申请人地址 ：
山东省济南市历城区山大南路27号
代理机构 ：
济南圣达知识产权代理有限公司
代理人 ：
王磊
优先权 ：
CN202210119968.0
主分类号 ：
C30B25/00
IPC分类号 ：
C30B25/00 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 25/00
申请日 : 20220128
申请日 : 20220128
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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