（010）面氧化镓单晶在制备非极性GaN衬底中的应用
实质审查的生效
摘要
本发明公开了(010)面氧化镓单晶在制备非极性GaN衬底中的应用，其步骤包括：(1)对氧化镓单晶的(010)面进行清洗；(2)在氨气气氛或氨气氮气混合气氛中对氧化镓单晶的(010)面进行部分氮化或完全氮化处理，从而在氧化镓单晶的(010)面表面或全部形成多孔非极性GaN层；(3)在步骤(2)获得的多孔非极性GaN层上进行GaN薄膜或GaN厚膜的外延，得到非极性自支撑GaN衬底。本发明提供了一种简单的获得非极性GaN及非极性GaN自支撑衬底的方法，采用(010)面氧化镓单晶通过氮化得到非极性GaN，进一步外延得到非极性GaN薄膜或自支撑衬底，从而实现大尺寸高质量低成本非极性GaN的批量制备。
基本信息
专利标题 ：
（010）面氧化镓单晶在制备非极性GaN衬底中的应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114262938A
申请号 ：
CN202111548883.6
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
修向前李悦文许万里陶涛张荣
申请人 ：
南京大学
申请人地址 ：
江苏省南京市栖霞区仙林大道163号
代理机构 ：
江苏斐多律师事务所
代理人 ：
张佳妮
优先权 ：
CN202111548883.6
主分类号 ：
C30B31/08
IPC分类号 ：
C30B31/08 C30B25/20 C30B29/40
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B31/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺；其所用装置
C30B31/06
同气态扩散材料接触的
C30B31/08
扩散材料为被扩散元素之化合物的
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 31/08
申请日 : 20211217
申请日 : 20211217
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
