一种在云母衬底上制备二维碲单晶的方法
授权
摘要
本发明涉及二维半导体单晶材料和器件制备技术领域，特别涉及一种在云母衬底上制备二维碲单晶的方法。以In2Te3为生长源，剥离后的云母剥离面为衬底，将剥离后的两片云母片叠放在石英舟的上方，然后将石英舟放置在管式炉内通过气相沉积的方法，制备得到二维碲，本发明具有所需设备和制备工艺简单、生长时间短，可直接得到结晶良好、纯度高、尺寸大的二维碲单晶等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种在云母衬底上制备二维碲单晶的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113550006A
申请号 ：
CN202110767095.X
公开（公告）日 ：
2021-10-26
申请日 ：
2021-07-07
授权号 ：
CN113550006B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
招瑜黄宝权刘俊魏爱香
申请人 ：
广东工业大学
申请人地址 ：
广东省广州市越秀区东风东路729号
代理机构 ：
佛山市君创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
许菲菲
优先权 ：
CN202110767095.X
主分类号 ：
C30B29/02
IPC分类号 ：
C30B29/02 C30B25/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2021-11-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/02
申请日 : 20210707
申请日 : 20210707
2021-10-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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