一种单晶金刚石衬底结构及其拼接加工方法
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摘要
本发明公开了一种单晶金刚石衬底结构及其拼接加工方法选取单晶金刚石衬底块;以单晶金刚石衬底块的第一生长面为起始位置,将单晶金刚石衬底块切断;其中,单晶金刚石衬底块的断面为平面,且断面由第一生长面延伸至与其相对的第二生长面;以与第一生长面平行的轴线为轴,翻转切割后相邻的单晶金刚石衬底的切块中的任一切块,使一个切块的第一生长面与相邻切块的第二生长面位于同一连续平面;拼接翻转后相邻的切块,将连续平面作为生长表面;本发明将同一单晶金刚石衬底块进行斜向切割,并将切割后的切块进行翻转,形成新的单晶金刚石衬底结构,可以有效增加单晶金刚石衬底块的生长表面,并且,通过结构可以规避金刚石的生长缺陷。
基本信息
专利标题 :
一种单晶金刚石衬底结构及其拼接加工方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112725902A
申请号 :
CN202011536707.6
公开(公告)日 :
2021-04-30
申请日 :
2020-12-23
授权号 :
CN112725902B
授权日 :
2022-04-19
发明人 :
张晓凡王宏兴魏强
申请人 :
西安交通大学
申请人地址 :
陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
代理机构 :
西安维赛恩专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
李明全
优先权 :
CN202011536707.6
主分类号 :
C30B33/06
IPC分类号 :
C30B33/06 C30B23/02 C30B25/18 C30B29/04
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/06
晶体的接合
法律状态
2022-04-19 :
授权
2021-05-21 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 33/06
申请日 : 20201223
申请日 : 20201223
2021-04-30 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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