II-VI族膜衬底蚀孔结构及加工方法
专利申请的视为撤回
摘要
本发明属于半导体物理与器件技术领域，涉及在II-VI族外延膜的砷化镓衬底上制备通光蚀孔，利用II-VI族外延膜的光学性质和发光性质，做成光双稳器件和发光器件。制备过程分两步进行，即快速腐蚀和慢速腐蚀。快速腐蚀液为双氧水加氨水，或氢氧化钠水溶液加双氧水；慢速腐蚀液为氢氧化钠加双氧水。其特点是作出的器件工作波段在蓝、绿光，可弥补现有的在砷化镓衬底上生成砷铝镓层多层结构制备通光蚀孔，做成的器件之不足。
基本信息
专利标题 ：
II-VI族膜衬底蚀孔结构及加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1045661A
申请号 ：
CN89109725.2
公开（公告）日 ：
1990-09-26
申请日 ：
1989-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
范广涵
申请人 ：
中国科学院长春物理所
申请人地址 ：
吉林省长春市延安大路1号
代理机构 ：
中国科学院长春专利事务所
代理人 ：
李恩庆
优先权 ：
CN89109725.2
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
1996-08-21 ：
专利申请的视为撤回
1992-12-30 ：
驳回的专利申请
1991-06-12 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1990-09-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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