金刚石衬底GaN HEMT与氢终端MOSFET集成结构及...
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种金刚石衬底GaN HEMT与氢终端MOSFET集成结构及其制备方法，所述结构包括金刚石衬底层、外延结构、第一源电极、第一漏电极、第一栅电极、第一介质层、第二源电极、第二漏电极、第二栅电极以及第二介质层，其中，外延结构设置在金刚石衬底层上；第一源电极和第一漏电极间隔设置在金刚石衬底层的上表面，第一介质层覆盖在第一源电极与第一漏电极之间的金刚石衬底层上，第一栅电极设置在第一介质层上；第二源电极、第二漏电极和第二栅电极间隔设置在外延结构上，外延结构的表面上设置第二介质层。本发明实现了基于金刚石衬底的GaN HEMT器件与氢终端金刚石MOSFET集成结构，利用金刚石层实现对GaN HEMT器件的散热，有效降低器件结温。
基本信息
专利标题 ：
金刚石衬底GaN HEMT与氢终端MOSFET集成结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551445A
申请号 ：
CN202210090160.4
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
武玫马晓华李仕明侯斌杨凌张濛郝跃
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王萌
优先权 ：
CN202210090160.4
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L23/373 H01L21/8258
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/088
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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