集成电路纳米管基衬底

授权

摘要

碳纳米管材料用于集成电路衬底中。按照示例实施方式，集成电路配置(100)包括其中具有碳纳米管结构(120)的衬底(110)。按照一种或多种不同的方式设置碳纳米管结构，以提供结构支撑和/或导热性。在一些例子中，碳纳米管结构被设置成为集成电路配置提供基本上全部的结构支撑。在其它例子中，碳纳米管结构被设置成用于在整个衬底上散热。在另外的其它例子中，碳纳米管结构被设置成用于从碳纳米管衬底的选定部分去除热量。

基本信息

专利标题：

集成电路纳米管基衬底

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101095226A

申请号：

CN200580045604.7

公开（公告）日：

2007-12-26

申请日：

2005-11-04

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

克里斯·怀兰德

申请人：

皇家飞利浦电子股份有限公司

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

朱进桂

优先权：

CN200580045604.7

主分类号：

H01L23/373

IPC分类号：

H01L23/373 H01L23/538