用于集成电路的碳纳米管基填料
专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)
摘要
有利于采用芯片和封装型衬底的集成电路芯片配置的各种特性。在各种示例实施中，碳纳米管填料(110)用于集成电路芯片(220、340)和封装型衬底(210、350)之间的配置。碳纳米管填料用于各种应用，如封装包封(作为模塑复合物(330))，管芯附着(374)和倒装芯片底部填充(240)。碳纳米管有利于各种特性，如强度、导热性、导电性、耐久性和塑变。
基本信息
专利标题 ：
用于集成电路的碳纳米管基填料
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101095219A
申请号 ：
CN200580045673.8
公开（公告）日 ：
2007-12-26
申请日 ：
2005-11-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
克里斯·怀兰德亨德里克斯·约翰尼斯·乔卡巴斯·托仑
申请人 ：
皇家飞利浦电子股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
陈瑞丰
优先权 ：
CN200580045673.8
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L23/29
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2009-10-21 ：
专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : NXP股份有限公司
变更后权利人 : 台湾积体电路制造股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后 : 中国台湾新竹科学工业园区新竹市
登记生效日 : 20090911
变更前权利人 : NXP股份有限公司
变更后权利人 : 台湾积体电路制造股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后 : 中国台湾新竹科学工业园区新竹市
登记生效日 : 20090911
2009-07-29 ：
授权
2008-06-25 ：
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : NXP股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
登记生效日 : 20080523
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : NXP股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
变更后权利人 : 荷兰艾恩德霍芬
登记生效日 : 20080523
2008-02-20 ：
实质审查的生效
2007-12-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN100521126C.PDF
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2、
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