GaN HEMTs与顶层氢终端金刚石MOSFETs集成结...
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种GaN HEMTs与顶层氢终端金刚石MOSFETs集成结构及其制备方法，该方法包括：提供外延产品，并在AlGaN势垒层上生长SiN介质层和金刚石层；刻蚀去除部分金刚石层后，在SiN介质层刻蚀源电极槽和漏电极槽，并制作HEMT器件的第一源、漏电极；对金刚石层进行氢终端处理，并在氢终端金刚石上制作MOSFET器件的第二源、漏电极；在氢终端金刚石上沉积Al2O3，形成栅介质层；在SiN介质层上制作HEMT器件的第一栅电极；在栅介质层上制作MOSFET器件的第二栅电极。本发明实现了n型GaN HEMT与p型金刚石MOSFET两种器件的异质集成，有利于减小器件体积，提高集成度，为高温CMOS应用提供解决方案；同时调制了GaN HEMTs的热产生分布，提升器件散热能力。
基本信息
专利标题 ：
GaN HEMTs与顶层氢终端金刚石MOSFETs集成结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496934A
申请号 ：
CN202210090171.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
武玫李仕明杨凌王平侯斌张濛吕玲马晓华郝跃
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王萌
优先权 ：
CN202210090171.2
主分类号 ：
H01L21/8258
IPC分类号 ：
H01L21/8258 H01L27/088
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/8258
衬底是半导体的，采用H01L21/822，H01L21/8252，H01L21/8254或H01L21/8256包含工艺的组合
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8258
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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