一种GaN HEMT器件与p型金刚石MOSFET的集成器...
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种GaN HEMT器件与p型金刚石MOSFET的集成器件及其制备方法，包括：金刚石衬底层、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、介质层、p型金刚石层和栅介质层；AlGaN势垒层上设置有第一源电极和第一漏电极以及第一栅电极；栅介质层位于p型金刚石层上；p型金刚石层上设置有第二源电极和第二漏电极，栅介质层上还设置有第二栅电极。本发明通过金刚石衬底上集成了GaN HEMT器件，并在金刚石衬底上生长p型金刚石层，制作了基于p型金刚石的MOSFET器件，从而实现了两种器件结构的异质集成。实现了器件结温的有效降低，减小了集成器件的体积，提高了器件的集成度的同时进一步提高了GaN HEMTs在微波大功率场景下的散热能力。
基本信息
专利标题 ：
一种GaN HEMT器件与p型金刚石MOSFET的集成器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497038A
申请号 ：
CN202210086830.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马晓华武玫李仕明杨凌张濛侯斌郝跃
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王萌
优先权 ：
CN202210086830.5
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L23/373 H01L21/8258
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/088
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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