一种MEMS集成器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种MEMS集成器件及其制备方法。该器件包括第一重布线层、MEMS层和专用集成电路层；晶圆级低温硅硅键合连接MEMS层与专用集成电路层；MEMS层设有填充铜的第一通孔和第二通孔，第一通孔贯穿MEMS层，第二通孔贯穿盖板层连接MEMS可动结构层；第一重布线层包括连接第一通孔、第二通孔和外部电极的内部布线；内部电极与第一通孔电连接。本发明通过晶圆级低温硅硅键合完成MEMS器件与专用集成电路的晶圆级集成与封装，在MEMS层上设置填充铜的通孔实现多层芯片层间垂直互连、避免在专用集成电路上增加用于内外部通信的通孔，铜填充兼容先进集成电路制造工艺，可实现MEMS器件与90纳米以下专用集成电路晶圆直接集成，提高了兼容性，降低了封装成本、提高封装效率。
基本信息
专利标题 ：
一种MEMS集成器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334880A
申请号 ：
CN202111665586.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗蓉杨拥军何洪涛徐淑静任臣
申请人 ：
中国电子科技集团公司第十三研究所
申请人地址 ：
河北省石家庄市合作路113号
代理机构 ：
石家庄国为知识产权事务所
代理人 ：
张贵勤
优先权 ：
CN202111665586.X
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L21/50 H01L21/60 B81B7/02 B81C3/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/48
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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