整流器件的制备方法及整流器件、集成芯片
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种整流器件的制备方法，包括：准备衬底；准备氧化镓靶材；沉积氧化镓薄膜，通过脉冲激光技术，在所述衬底上沉积氧化镓薄膜图形阵列；在所述氧化镓薄膜上形成电极层；在与所述氧化镓薄膜相对的所述衬底的另一侧形成下电极。该种制备方法适用于现在半导体产线，可实现批量化生产。
基本信息
专利标题 ：
整流器件的制备方法及整流器件、集成芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334646A
申请号 ：
CN202011071846.6
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-10-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李培刚
申请人 ：
李培刚
申请人地址 ：
浙江省杭州市江干区金沙学府30幢2单元201室
代理机构 ：
北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张羽
优先权 ：
CN202011071846.6
主分类号 ：
H01L21/329
IPC分类号 ：
H01L21/329 H01L21/34 H01L29/267 H01L29/861
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/329
包括1个或两个电极的器件，例如二极管
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/329
申请日 : 20201009
申请日 : 20201009
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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