集成芯片及其形成方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及集成芯片。集成芯片包括设置在衬底内的图像感测元件。栅极结构沿着衬底的前侧设置。衬底的背侧包括一个或多个第一成角度的表面，该一个或多个第一成角度的表面限定设置在图像感测元件上方的中心扩散器。衬底的背侧还包括第二成角度的表面，该第二成角度的表面限定横向地围绕中心扩散器的多个外围扩散器。多个外围扩散器的尺寸小于中心扩散器的尺寸。本发明的实施例涉及集成芯片的形成方法。
基本信息
专利标题 ：
集成芯片及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388539A
申请号 ：
CN202110409110.3
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-04-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周耕宇庄君豪刘人诚桥本一明陈铭恩丁世汎蔡双吉江伟杰
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN202110409110.3
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20210416
申请日 : 20210416
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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