集成芯片及其形成方法

实质审查的生效

摘要

本发明涉及集成芯片。集成芯片包括布置在基底衬底的上表面上的多晶硅层。介电层布置在多晶硅层上方，并且有源半导体层布置在介电层上方。半导体材料垂直地布置在基底衬底的上表面上并且横向地位于有源半导体层旁边。本发明的实施例还涉及集成芯片的形成方法。

基本信息

专利标题：

集成芯片及其形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114284297A

申请号：

CN202110872160.5

公开（公告）日：

2022-04-05

申请日：

2021-07-30

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陈逸群刘冠良王嗣裕蔡嘉雄李汝谅赵治平亚历山大·卡尔尼斯基

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司

代理人：

章社杲

优先权：

CN202110872160.5

主分类号：

H01L27/12

IPC分类号：

H01L27/12 H01L21/762

法律状态

2022-04-22 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 27/12
申请日 : 20210730

2022-04-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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