一种整流器件及集成芯片
授权
摘要
本申请提供一种整流器件及集成芯片,整流器件包括:衬底;氧化镓薄膜,形成于所述衬底上;电极层,形成于所述氧化镓薄膜上;下电极层,形成于所述衬底与所述氧化镓薄膜相对的另一面上。该整流器件的氧化镓薄膜结晶性能良好,整流特性良好,可用于芯片集成制备技术。
基本信息
专利标题 :
一种整流器件及集成芯片
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022227259.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-10-09
授权号 :
CN214477335U
授权日 :
2021-10-22
发明人 :
李培刚
申请人 :
李培刚
申请人地址 :
浙江省杭州市江干区金沙学府30幢2单元201室
代理机构 :
北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
张羽
优先权 :
CN202022227259.3
主分类号 :
H01L21/329
IPC分类号 :
H01L21/329 H01L21/34 H01L29/267 H01L29/861
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件,例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/329
包括1个或两个电极的器件,例如二极管
法律状态
2021-10-22 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载