一种光电集成器件及制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种光电集成器件及其制作方法，包括：多个有序排列的基本单元，所述基本单元包括多量子阱MicroLED和垂直结构GaN MOSFET；所述蓝宝石衬底的顶层设有键合介质层，所述蓝宝石衬底的底层为器件的出光面；所述多量子阱Micro LED设于键合介质层的顶层；所述垂直结构GaN MOSFET设于多量子阱Micro LED的上方，所述垂直结构GaN MOSFET的漏区与所述多量子阱Micro LED的N区通过共享二极管N‑GaN结构层串联；本发明的发光器件与驱动电子器件制作在同一块芯片上，不仅可利用现有的GaN工艺平台实现批量化制造，降低生产成本，还具备体积小、速度快、可靠性高的显著优势；GaN MOSFET采用新颖的垂直结构设计，可极大地缩短驱动晶体管的沟道长度，对提升集成器件的性能和集成度具有重要意义。
基本信息
专利标题 ：
一种光电集成器件及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582911A
申请号 ：
CN202210098675.9
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
严嘉彬石帆杨凌云吴洁戴叶玲
申请人 ：
南京邮电大学
申请人地址 ：
江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号
代理机构 ：
南京纵横知识产权代理有限公司
代理人 ：
董建林
优先权 ：
CN202210098675.9
主分类号 ：
H01L27/15
IPC分类号 ：
H01L27/15 H01L33/00 H01L21/336
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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